半导体分立器件是电子设备的核心基础元件，大范围的应用于消费电子、网络通信、汽车电子、工业电子等多个领域。它们在电路中承担整流、放大、稳压、开关等功能，是电子设备不可或缺的组成部分。尽管集成电路技术发展迅速，但分立器件在某些应用场景中仍具有无法替代的优势半导体分立器件产业的发展直接推动了下游应用领域的技术进步和产业升级。例如，在新能源汽车领域，功率半导体分立器件是实现高效电能转换和控制的核心部件。此外，5G通信、消费电子等行业对高性能分立器件的需求也不断增长。
中国半导体分立器件经过了60多年的发展和积累，成就了全球半导体分立器件产业制造基地的地位。从1950年代创立到1970年代的成长;到1990年代，随着国际生产的大转移和跨国公司的大举进入，中国制造业基地地位的显现，均使我国半导体分立器件产业无论在生产规模、生产技术、自动化程度以及品种规格方面都取得了长足的进步，产品品种规格增加、品质提高、出口扩大，从而推动我们国家半导体分立器件产业全面发展;进入2000年代，得益于全球电子整机对节能、环保的需求，我国半导体分立器件产业迎来了新的发展契机，一方面带到了分立器件产品的需求量开始上涨，一方面带动了市场产品结构的快速调整。到了2010年代，随着通信和汽车电子等高端市场的加快速度进行发展，更是带动了分立器件产品结构的升级。
根据SEMI的数据，2016-2024年期间，中国半导体分立器件产量呈波动增长趋势，尽管2023年，受到半导体市场下游需求量开始上涨放缓的影响，半导体分立器件产量仍维持稳步上升的趋势，2023年达到统计时间段内的峰值，为7875亿只。
功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件能更加进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势;而功率晶闸管承受电压和电流容量在所有器件中最高;MOSFET的优点是开关速度快、输入阻抗高、耐热性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面;IGBT则具有开关速度高、开关耗小、具有耐脉冲电流冲击的能力、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率小等优点。
根据Statista的数据，在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年期间，中国功率器件行业市场规模呈波动上涨的趋势，初步统计2024年市场规模接近1800亿元。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《全球及中国MOSFET(功率器件)行业发展前途与投资战略规划分析报告》
