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852nm窄线宽半导体激光器面世

阅读量: 1619次 发布时间:2024-11-12 08:46:41

  中国科学院长春光学精细机械与物理研讨所大功率半导体激光器研讨团队展开攻关。日前,该团队副研讨员陈超报导了一种根据外部光反应结构的852nm窄线宽、线偏振半导体激光器。相关研讨成果发表于《光学和激光技能》(

  据了解,量子精细丈量是使用光与原子相互作用的量子效应和技能,打破规范量子极限,以完成丈量精度、灵敏度和安稳才能全面逾越经典丈量手法的办法。该技能的关键是完成原子精细能级跃迁和量子态勘探的窄线宽激光器。

  此外,激光器的高偏振特性也是提高激光稳频体系和量子干与体系功能,限制丈量准确度和分辨率的决定因素。因而,兼具窄线宽和线偏振的窄线宽半导体激光器在量子精细丈量范畴十分重视。其间,用于Cs原子里德堡态制备的852nm窄线宽激光器是典型代表。

  据介绍,激光器结构经过引进飞秒激光诱导的双折射Bragg光栅滤波器,并与高偏振相关性半导体增益芯片混合集成,使用偏振形式选择性反应和注入确定技能,完成了超越30dB偏振消光比和低至2.58kHz的高线偏振、窄线宽激光输出。该激光器可作为量子精细丈量体系的潜在原子泵浦光源,而且根据前期在抗辐射、窄线宽激光器方面的研讨根底,亦有期望用于空间环境中星载和箭载的冷原子量子试验体系。

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